La composició de l'hòstia és de silici. El silici es refina a partir de sorra de quars. L'hòstia es purifica per element silici (99.999%). A continuació, el silici pur es converteix en lingots de silici, que es converteixen en el semiconductor de quars per a la fabricació de circuits integrats. Material, tallant és l'oblia específicament necessària per a la producció de xips. Com més prima és l'hòstia, menor serà el cost de producció, però com més alt és el procés.
Recobriment d'hòstia
La pel·lícula de recobriment d'hòstia pot resistir l'oxidació i la resistència a la temperatura, i el seu material és una mena de fotoresista.
Desenvolupament de la fotolitografia hòstia, aiguafort
El flux bàsic del procés de fotolitografia. El primer és recobrir una capa de fotoresist a la superfície de l'hòstia (o substrat) i assecar-la. L'hòstia seca es transfereix a la màquina de litografia. La llum passa a través d'una màscara i projecta el patró de la màscara al fotoresist a la superfície de l'hòstia per aconseguir l'exposició i estimular les reaccions fotoquímiques. Una segona cocció es realitza a l'oblia exposada, que és l'anomenada cocció postexposició. Després de la cocció és una reacció fotoquímica més completa. Finalment, el desenvolupador es ruixa sobre el fotoresist a la superfície de l'hòstia per desenvolupar el patró exposat. Després del desenvolupament, el patró de la màscara es deixa en el fotoresist. El recobriment de cola, la cocció i el desenvolupament es fan en un desenvolupador homogeneïtzador, i l'exposició es fa en una màquina de fotolitografia. El desenvolupador de cola i la màquina de litografia s'operen generalment en línia, i les hòsties es transporten entre unitats i màquines per robots. Tot el sistema d'exposició i desenvolupament està tancat, i l'hòstia no està directament exposada a l'entorn circumdant per reduir l'impacte dels components nocius en el medi ambient en les reaccions fotoresistents i fotoquímiques