Procés de formació de semiconductors tipus forat
El dopatge d’elements trivalents (com el bor) en cristalls de silici pur per substituir la posició dels àtoms de silici a la xarxa cristal·lina forma un semiconductor de tipus P. En els semiconductors de tipus P, els forats són múltiples nens i els electrons lliures són nens minoritaris, que condueixen principalment l’electricitat pels forats. Com que la quantitat de càrrega positiva i la quantitat de càrrega negativa en el semiconductor de tipus P són iguals, el semiconductor de tipus P és elèctricament neutre. Els forats són proporcionats principalment per àtoms d’impuresa i els electrons lliures es formen per excitació tèrmica.