Centre de recombinació isoelectrònica
Una certa quantitat d'àtoms d'impuresa equivalents als àtoms principals es dopats en el semiconductor per reemplaçar els àtoms en els punts de gelosia. A causa de la diferència en les propietats elèctriques entre àtoms d'impuresa i àtoms principals, els àtoms d'impuresa neutres poden unir electrons o forats i convertir-se en centres carregats. El centre carregat atrau portaavions amb signes oposats als portaavions lligats, formant un estat lligat a l'excitó. Aquest estat lligat d'excitons s'anomena centre de recombinació isoelectrònica.